Beschreibung
In den letzten Jahren konnte das technische Potential von Halbleiter-Scheibenlasern eindrucksvoll aufgewiesen werden. Wesentliches Leistungsmerkmal dieser Strahlquellen ist hierbei eine hohe Strahlqualität, die auch bei hoher Ausgangsleistung erhalten bleibt. Zudem kann mit Halbleitermaterialien hier ein breiter Bereich an Emissionswellenlängen vom Ultravioletten bis ins Infrarote abgedeckt werden. Die Untersuchungen dieser Arbeit widmen sich den Eigenschaften von optisch gepumpten Halbleiter-Scheibenlasern auf der Basis von antimonidischen III-V-Halbleitern. Mit den untersuchten Strahlquellen ist es gelungen, den Wellenlängenbereich von von 2,0 - 2,8 µm zu erschließen, der für eine Vielzahl von Anwendungen, wie beispielsweise der optischen Freistrahlkommunikation, von großem Interesse ist. Die Untersuchungen konzentrieren sich dabei zum einen auf den Einfluss von Parametern, die beim Entwurf der Halbleiterstrukturen von zentraler Bedeutung sind (z. B. Einfluss der Dicke von Absorberschichten oder der Verspannung von Quantentöpfen). Als ein weiterer Schwerpunkt dieser Arbeit werden die Möglichkeiten der Leistungsskalierung diskutiert, welche die untersuchten Strahlquellen bieten.
